Транзистор IXFR10N100F
IXFR10N100F - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: ISOPLUS247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9.8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 305 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFR10N100F можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFR12N100F |
PTH |
N |
250 |
1000 |
20 |
5.5 |
10 |
1.05 |
- |
9.8 |
305 |
150 |
ISOPLUS247 |