Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFR20N80P

IXFR20N80P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: ISOPLUS247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 160 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.57 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 86 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFR20N80P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFC20N80P	PTH	N	160	800	30	5	10	0.57	85	250	-	150	ISOPLUS220
IXFH20N80P	PTH	N	500	800	30	5	20	0.52	86	250	-	150	TO-247
IXFT20N80P	SMD	N	500	800	30	5	20	0.52	86	250	-	150	TO-268
IXFV20N80P	PTH	N	500	800	30	5	20	0.52	86	250	-	150	PLUS220
IXFV20N80PS	SMD	N	500	800	30	5	20	0.52	86	250	-	150	PLUS220SMD
STB21N90K5	SMD	N	250	900	30	5	18.5	0.299	43	27	112	150	D2PAK