Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFR36N50P

IXFR36N50P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: ISOPLUS247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 156 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 19 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.19 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 93 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFR36N50P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH36N50P	PTH	N	540	500	30	5	36	0.17	93	200	-	150	TO-247
IXFT36N50P	SMD	N	540	500	30	5	36	0.17	93	200	-	150	TO-268
IXFV36N50P	PTH	N	540	500	30	5	36	0.17	93	200	-	150	PLUS220
IXFV36N50PS	SMD	N	540	500	30	5	36	0.17	93	200	-	150	PLUS220SMD
SIHG32N50D	PTH	N	390	500	30	5	30	0.15	64	75	225	150	TO-247AC
SIHS36N50D	PTH	N	446	500	30	5	36	0.13	83	89	285	150	Super247
STW26NM60	PTH	N	313	600	30	5	30	0.135	73	22	900	150	TO-247
STW30NM60D	PTH	N	312	600	30	5	30	0.145	82	33	800	150	TO-247
STW40N95K5	PTH	N	450	950	30	5	38	0.13	93	51	250	150	TO-247