Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFR66N50Q2

IXFR66N50Q2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: ISOPLUS247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 500 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.085 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 200 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFR66N50Q2 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH60N65X2	PTH	N	780	650	30	5.5	60	0.052	107	40	3867	150	TO-247
IXFH80N65X2	PTH	N	890	650	30	5.5	80	0.04	143	42	5510	150	TO-247
IXFK64N50P	PTH	N	830	500	30	5.5	64	0.085	150	200	-	150	TO-264
IXFN64N50P	Модуль	N	625	500	30	5.5	50	0.085	150	200	-	150	ISOTOP
IXFX64N50P	PTH	N	830	500	30	5.5	64	0.085	150	200	-	150	PLUS247