Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFR80N15Q

IXFR80N15Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: ISOPLUS247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 313 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0225 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 180 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFR80N15Q можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FDI2532	PTH	N	310	150	20	4	79	0.016	107	30	615	175	TO-262AB
IXFH80N15Q	PTH	N	357	150	20	4	80	0.0225	180	200	-	150	TO-247
IXFK80N15Q	PTH	N	357	150	20	4	80	0.0225	180	200	-	150	TO-264
IXFT80N15Q	SMD	N	357	150	20	4	80	0.0225	180	200	-	150	TO-268
IXTH88N15	PTH	N	400	150	20	4	88	0.022	170	150	-	150	TO-247
IXTT88N15	SMD	N	400	150	20	4	88	0.022	170	150	-	150	TO-268
KDB2532	SMD	N	310	150	20	4	79	0.016	82	30	615	175	TO-263
RU120N15Q	PTH	N	326	150	25	4	120	0.017	155	40	900	175	TO-247
RU120N15R	PTH	N	312	150	25	4	120	0.017	155	40	900	175	TO-220
SUM85N15-19	SMD	N	375	150	20	4	85	0.019	76	170	530	175	TO-263