Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFT12N100F

IXFT12N100F - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-268

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.05 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFT12N100F можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH12N100F	PTH	N	300	1000	20	5.5	12	1.05	77	250	-	150	TO-247
IXFK21N100F	PTH	N	500	1000	20	5.5	21	0.5	-	250	-	150	TO-264
IXFK21N100Q	PTH	N	481	1000	20	5.5	21	0.5	170	250	-	150	TO-264
IXFK24N100	PTH	N	560	1000	20	5.5	24	0.39	267	250	-	150	TO-264
IXFK24N100F	PTH	N	560	1000	20	5.5	24	0.39	-	250	-	150	TO-264
IXFN24N100F	Модуль	N	600	1000	20	5.5	24	0.39	-	250	-	150	ISOTOP
IXFN34N100	Модуль	N	694	1000	20	5.5	34	0.28	380	180	-	150	MINIBLOC
IXFX21N100F	PTH	N	500	1000	20	5.5	21	0.5	-	250	-	150	PLUS247
IXFX21N100Q	PTH	N	481	1000	20	5.5	21	0.5	170	250	-	150	PLUS247
IXFX24N100F	PTH	N	560	1000	20	5.5	24	0.39	-	250	-	150	PLUS247