Транзистор IXFT140N10P
IXFT140N10P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-268
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 600 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 140 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.011 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 155 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 150 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXFT140N10P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFH140N10P |
PTH |
N |
600 |
100 |
20 |
5 |
140 |
0.011 |
155 |
150 |
- |
175 |
TO-247 |
| IXTQ140N10P |
PTH |
N |
600 |
100 |
20 |
5 |
140 |
0.011 |
155 |
120 |
- |
175 |
TO-3P |
| IXTT140N10P |
SMD |
N |
600 |
100 |
20 |
5 |
140 |
0.011 |
155 |
120 |
- |
175 |
TO-268 |