Транзистор IXFT150N20T
IXFT150N20T - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-268
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 890 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 150 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.015 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 177 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1250 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFT150N20T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFH150N20T |
PTH |
N |
890 |
200 |
20 |
5 |
150 |
0.015 |
177 |
12 |
1250 |
150 |
TO-247 |