Транзистор IXFT21N50Q
IXFT21N50Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-268
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 278 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 21 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.25 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 90 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFT21N50Q можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFH21N50Q |
PTH |
N |
278 |
500 |
30 |
4.5 |
21 |
0.25 |
90 |
250 |
- |
150 |
TO-247 |
| SM6A09NSF |
PTH |
N |
278 |
600 |
30 |
4.5 |
25 |
0.16 |
64 |
36 |
1365 |
150 |
TO-220 |
| SM6A09NSW |
PTH |
N |
278 |
600 |
30 |
4.5 |
25 |
0.16 |
64 |
36 |
1365 |
150 |
TO-247 |