Транзистор IXFT23N80Q

IXFT23N80Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-268

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 500 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 23 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.42 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 130 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 27 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 500 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFT23N80Q можно заменить на:

Нет элементов для замены