Транзистор IXFT26N50
IXFT26N50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-268
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 298 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 26 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 135 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFT26N50 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MMQ60R070PTH |
PTH |
N |
391 |
600 |
30 |
4 |
53 |
0.07 |
132 |
200 |
2965 |
150 |
TO-247 |
| STW56N60M2 |
PTH |
N |
350 |
600 |
25 |
4 |
52 |
0.055 |
91 |
26.5 |
175 |
150 |
TO-247 |
| STW56N60M2-4 |
PTH |
N |
350 |
600 |
25 |
4 |
52 |
0.055 |
91 |
26.5 |
175 |
150 |
TO-247-4 |
| STW56N65M2 |
PTH |
N |
358 |
650 |
25 |
4 |
49 |
0.062 |
93 |
27.5 |
160 |
150 |
TO-247 |
| STW56N65M2-4 |
PTH |
N |
358 |
650 |
25 |
4 |
49 |
0.062 |
93 |
27.5 |
160 |
150 |
TO-247-4 |