Транзистор IXFT30N50Q
IXFT30N50Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-268
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 360 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.16 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 190 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 42 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 640 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFT30N50Q можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPW60R041P6 |
PTH |
N |
481 |
600 |
20 |
4.5 |
77.5 |
0.041 |
170 |
27 |
310 |
150 |
TO-247 |
| IPW60R070P6 |
PTH |
N |
391 |
600 |
20 |
4.5 |
53.5 |
0.07 |
100 |
15 |
190 |
150 |
TO-247 |
| IPW65R080CFDA |
PTH |
N |
391 |
650 |
20 |
4.5 |
43.3 |
0.08 |
161 |
18 |
210 |
150 |
TO-247 |
| IXFK30N50Q |
PTH |
N |
416 |
500 |
20 |
4.5 |
30 |
0.16 |
150 |
42 |
640 |
150 |
TO-264AA |
| IXFX30N50Q |
PTH |
N |
416 |
500 |
20 |
4.5 |
30 |
0.16 |
150 |
42 |
640 |
150 |
PLUS247 |