Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFT40N30Q

IXFT40N30Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-268

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.085 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 95 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFT40N30Q можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH40N30Q	PTH	N	300	300	20	4	40	0.085	92	-	-	150	TO-247
STB46NF30	SMD	N	300	300	20	4	42	0.075	90	38	442	175	D2PAK
STP46NF30	PTH	N	300	300	20	4	42	0.075	90	38	442	175	TO-220
STW46NF30	PTH	N	300	300	20	4	42	0.075	90	38	442	175	TO-247
STW48N60M2	PTH	N	300	600	25	4	42	0.07	70	17	143	150	TO-247
STW48N60M2-4	PTH	N	300	600	25	4	42	0.07	70	17	143	150	TO-247-4
STW56N60M2	PTH	N	350	600	25	4	52	0.055	91	26.5	175	150	TO-247
STW56N60M2-4	PTH	N	350	600	25	4	52	0.055	91	26.5	175	150	TO-247-4
STW56N65M2	PTH	N	358	650	25	4	49	0.062	93	27.5	160	150	TO-247
STW56N65M2-4	PTH	N	358	650	25	4	49	0.062	93	27.5	160	150	TO-247-4