Транзистор IXFT52N30Q
IXFT52N30Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-268
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 360 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 52 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.06 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 150 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFT52N30Q можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFH52N30Q |
PTH |
N |
360 |
300 |
20 |
4 |
52 |
0.06 |
150 |
- |
- |
150 |
TO-247 |
| IXFK52N30Q |
PTH |
N |
360 |
300 |
20 |
4 |
52 |
0.06 |
150 |
- |
- |
150 |
TO-264 |
| STW70N60M2 |
PTH |
N |
450 |
600 |
25 |
4 |
68 |
0.04 |
118 |
17 |
250 |
150 |
TO-247 |