Транзистор IXFT58N20Q
IXFT58N20Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-268
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 58 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.04 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 98 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFT58N20Q можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFH58N20Q |
PTH |
N |
300 |
200 |
20 |
4 |
58 |
0.04 |
98 |
- |
- |
150 |
TO-247 |
| IXTK62N25 |
PTH |
N |
390 |
250 |
20 |
4 |
62 |
0.035 |
67 |
- |
- |
150 |
TO-264 |
| SUM65N20-30 |
SMD |
N |
375 |
200 |
20 |
4 |
65 |
0.03 |
90 |
220 |
480 |
175 |
TO-263 |