Справочник электронных компонентов

Транзистор IXFT74N20

IXFT74N20 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-268

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 360 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 74 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 280 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFT74N20 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IPW65R019C7	PTH	N	446	650	20	4	75	0.019	215	27	160	150	TO-247
IPZ65R019C7	PTH	N	446	650	20	4	75	0.019	215	27	160	150	TO-247-4
IXFH74N20	PTH	N	360	200	20	4	74	0.03	280	200	-	150	TO-247
IXFH88N20Q	PTH	N	500	200	30	4	88	0.03	146	200	-	150	TO-247
IXFK88N20Q	PTH	N	481	200	30	4	88	0.028	149	200	-	150	TO-264
IXFX88N20Q	PTH	N	500	200	30	4	88	0.028	146	200	-	150	PLUS247