Транзистор IXFT80N20Q

IXFT80N20Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-268

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 360 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.015 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 180 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: -
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 4600 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXFT80N20Q можно заменить на:

Нет элементов для замены