Транзистор IXFV10N100P
IXFV10N100P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: PLUS220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 380 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 58 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 300 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IXFV10N100P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFH10N100P |
PTH |
N |
380 |
1000 |
30 |
6.5 |
10 |
1.4 |
56 |
300 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXFV10N100PS |
SMD |
N |
380 |
1000 |
- |
- |
10 |
1.4 |
58 |
300 |
- |
- |
PLUS220SMD |