Транзистор IXFX150N30P3
IXFX150N30P3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: PLUS247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 150 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.019 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 197 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1910 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFX150N30P3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFK150N30P3 |
PTH |
N |
1300 |
300 |
20 |
5 |
150 |
0.019 |
197 |
30 |
1910 |
150 |
TO-264 |