Транзистор IXFX32N100P
IXFX32N100P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: PLUS247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 960 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 6.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 32 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.32 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 225 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 300 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFX32N100P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFK32N100P |
PTH |
N |
960 |
1000 |
30 |
6.5 |
32 |
0.32 |
225 |
300 |
- |
150 |
TO-264 |
| IXFK32N100Q3 |
PTH |
N |
1250 |
1000 |
30 |
6.5 |
32 |
0.32 |
195 |
300 |
- |
150 |
TO-264 |
| IXFX32N100Q3 |
PTH |
N |
1250 |
1000 |
30 |
6.5 |
32 |
0.32 |
195 |
300 |
- |
150 |
PLUS247 |