Транзистор IXFX66N50Q2
IXFX66N50Q2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: PLUS247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 735 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 66 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.08 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 200 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFX66N50Q2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFK66N50Q2 |
PTH |
N |
735 |
500 |
30 |
4.5 |
66 |
0.08 |
200 |
250 |
- |
150 |
TO-264 |
| IXFN66N50Q2 |
Модуль |
N |
735 |
500 |
30 |
4.5 |
66 |
0.08 |
200 |
250 |
- |
150 |
MINIBLOC |
| IXTH80N65X2 |
PTH |
N |
890 |
650 |
30 |
4.5 |
80 |
0.04 |
144 |
25 |
5208 |
150 |
TO-247 |