Транзистор IXFY4N60P3
IXFY4N60P3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 114 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 24 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 46 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXFY4N60P3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFA4N60P3 |
SMD |
N |
114 |
600 |
30 |
5 |
4 |
2.2 |
- |
24 |
46 |
150 |
TO-263AA |
| STP10N105K5 |
PTH |
N |
130 |
1050 |
30 |
5 |
6 |
1.3 |
21.5 |
8 |
30 |
150 |
TO-220 |
| STW10N105K5 |
PTH |
N |
130 |
1050 |
30 |
5 |
6 |
1.3 |
21.5 |
8 |
30 |
150 |
TO-247 |