Транзистор IXTA10P50P
IXTA10P50P - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 50 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 414 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTA10P50P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH10P50P |
PTH |
P |
300 |
500 |
20 |
4 |
10 |
1 |
50 |
414 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXTP10P50P |
PTH |
P |
300 |
500 |
20 |
4 |
10 |
1 |
50 |
414 |
- |
150 |
TO-220 |
| IXTQ10P50P |
PTH |
P |
300 |
500 |
20 |
4 |
10 |
1 |
50 |
414 |
- |
150 |
TO-3P |