Транзистор IXTA120P065T
IXTA120P065T - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 298 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 65 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 15 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 120 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.01 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 185 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 53 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTA120P065T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH120P065T |
PTH |
P |
298 |
65 |
15 |
4 |
120 |
0.01 |
185 |
53 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXTP120P065T |
PTH |
P |
298 |
65 |
15 |
4 |
120 |
0.01 |
185 |
53 |
- |
150 |
TO-220 |