Транзистор IXTA130N10T-TRL

IXTA130N10T-TRL - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-263

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 360 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 130 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0091 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 104 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 47 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 635 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IXTA130N10T-TRL можно заменить на:

Нет элементов для замены