Транзистор IXTA170N075T2
IXTA170N075T2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 360 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 75 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 170 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0054 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 109 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 63 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXTA170N075T2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTP170N075T2 |
PTH |
N |
360 |
75 |
20 |
4 |
170 |
0.0054 |
109 |
63 |
- |
175 |
TO-220 |