Транзистор IXTA180N055T
IXTA180N055T - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 360 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 180 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.004 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 61 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1190 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXTA180N055T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFS3006-7PPBF |
SMD |
N |
375 |
60 |
20 |
4 |
240 |
0.0021 |
200 |
61 |
1007 |
175 |
TO-263-CA7 |
| IRFS4010-7PPBF |
SMD |
N |
380 |
100 |
20 |
4 |
190 |
0.004 |
150 |
56 |
650 |
175 |
TO-263-CA7 |
| IXTP180N055T |
PTH |
N |
360 |
55 |
20 |
4 |
180 |
0.004 |
- |
61 |
1190 |
175 |
TO-220 |
| IXTQ180N055T |
PTH |
N |
360 |
55 |
20 |
4 |
180 |
0.004 |
160 |
61 |
1190 |
175 |
TO-3P |