Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTA182N055T7

IXTA182N055T7 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 360 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 182 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.005 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 114 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 70 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IXTA182N055T7 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXTA182N055T	SMD	N	360	55	20	4	182	0.005	114	70	-	175	TO-263
IXTA200N055T2	SMD	N	360	55	20	4	200	0.0042	109	49	-	175	TO-263
IXTH182N055T	PTH	N	360	55	20	4	182	0.005	114	70	-	175	TO-247
IXTP182N055T	PTH	N	360	55	20	4	182	0.005	114	70	-	175	TO-220
IXTP200N055T2	PTH	N	360	55	20	4	200	0.0042	109	49	-	175	TO-220
IXTQ182N055T	PTH	N	360	55	20	4	182	0.005	114	70	-	175	TO-3P