Транзистор IXTA1N100P
IXTA1N100P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 15 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 15.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 750 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTA1N100P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTP1N100P |
PTH |
N |
50 |
1000 |
20 |
4.5 |
1 |
15 |
15.5 |
750 |
- |
150 |
TO-220 |
| IXTY1N100P |
SMD |
N |
50 |
1000 |
20 |
4.5 |
1 |
15 |
15.5 |
750 |
- |
150 |
TO-252 |