Транзистор IXTA1N200P3HV
IXTA1N200P3HV - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263HV
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 2000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 40 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 26 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 50 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTA1N200P3HV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH1N200P3 |
PTH |
N |
125 |
2000 |
20 |
4 |
1 |
40 |
- |
26 |
50 |
150 |
TO-247HV |
| IXTH1N200P3HV |
PTH |
N |
125 |
2000 |
20 |
4 |
1 |
40 |
- |
26 |
50 |
150 |
TO-247 |