Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTA1N80

IXTA1N80 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IXTA1N80 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
HFH6N90 PTH N 198 900 30 4.5 6 2.4 35 120 110 150 TO-3P
HFP4N90 PTH N 140 900 30 4.5 4 3 30 80 100 150 TO-220
HFP6N90 PTH N 167 900 30 4.5 6 2.4 35 120 110 150 TO-220
HFS4N90 PTH N 47 900 30 4.5 4 3 30 80 100 150 TO-220F
HFS5N80 PTH N 47 800 30 4.5 5 2.6 30 85 100 150 TO-220F
HFS6N90 PTH N 56 900 30 4.5 6 2.4 35 120 110 150 TO-220F
HFW6N90 SMD N 167 900 30 4.5 6 2.4 35 120 110 150 D2PAK
IXFA3N80 SMD N 100 800 20 4.5 3.6 3.6 24 250 - 150 TO-263
IXFA4N100Q SMD N 150 1000 20 4.5 4 3 39 250 - 150 TO-263
IXFP3N80 PTH N 100 800 20 4.5 3.6 3.6 24 250 - 150 TO-220
IXTH1N100 PTH N 60 1000 20 4.5 1.5 11 23 710 - 150 TO-247
IXTH3N120 PTH N 100 1200 20 4.5 3 4.5 42 700 - 150 TO-247
IXTP1N80 PTH N 40 800 20 4.5 1 11 - 710 - 150 TO-220
IXTT1N100 SMD N 60 1000 20 4.5 1.5 11 23 710 - 150 TO-268
IXTY1N80 SMD N 40 800 20 4.5 1 11 - 710 - 150 TO-252AA
SSH4N80 PTH N 135 800 30 4.5 4 3.5 70 150 130 150 TO-3P
SSH5N90 PTH N 150 900 30 4.5 5 2.5 110 90 140 150 TO-3P
SSP4N80 PTH N 125 800 30 4.5 4 3.5 65 150 130 150 TO-220
SSP5N90 PTH N 150 900 30 4.5 5 2.5 110 90 140 150 TO-220