Транзистор IXTA200N055T2-7
IXTA200N055T2-7 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 360 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 200 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0042 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 109 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 49 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IXTA200N055T2-7 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD18536KCS |
PTH |
N |
375 |
60 |
20 |
2.2 |
200 |
0.0016 |
83 |
17 |
1700 |
175 |
TO-220 |
| IXTA200N055T2 |
SMD |
N |
360 |
55 |
20 |
4 |
200 |
0.0042 |
109 |
49 |
- |
175 |
TO-263 |
| IXTP200N055T2 |
PTH |
N |
360 |
55 |
20 |
4 |
200 |
0.0042 |
109 |
49 |
- |
175 |
TO-220 |