Транзистор IXTA3N100P
IXTA3N100P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 4.8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 39 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 820 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTA3N100P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFA4N100Q |
SMD |
N |
150 |
1000 |
20 |
4.5 |
4 |
3 |
39 |
250 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXTH3N100P |
PTH |
N |
125 |
1000 |
20 |
4.5 |
3 |
4.8 |
39 |
820 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXTP3N100P |
PTH |
N |
125 |
1000 |
20 |
4.5 |
3 |
4.8 |
39 |
820 |
- |
150 |
TO-220 |