Транзистор IXTA3N120HV
IXTA3N120HV - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 200 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 4.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 110 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTA3N120HV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APT4F120K |
PTH |
N |
225 |
1200 |
30 |
5 |
4 |
4.2 |
43 |
4.4 |
100 |
150 |
TO-220 |
| APT4M120K |
PTH |
N |
225 |
1200 |
30 |
5 |
5 |
3.8 |
43 |
4.4 |
100 |
150 |
TO-220 |
| IXTA3N120TRL |
SMD |
N |
200 |
1200 |
20 |
5 |
3 |
4.5 |
- |
15 |
110 |
150 |
TO-263 |