Транзистор IXTA4N150HV
IXTA4N150HV - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 280 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 23 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 105 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTA4N150HV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTT4N150HV |
SMD |
N |
280 |
1500 |
30 |
5 |
4 |
6 |
- |
23 |
105 |
150 |
TO-268HV |