Транзистор IXTA5N60P

IXTA5N60P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-263

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.7 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 14.2 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 500 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTA5N60P можно заменить на:

Нет элементов для замены