Транзистор IXTA64N10L2
IXTA64N10L2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 357 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 64 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.032 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 100 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 27 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 720 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTA64N10L2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH64N10L2 |
PTH |
N |
357 |
100 |
20 |
4.5 |
64 |
0.032 |
100 |
27 |
720 |
150 |
TO-247 |
| SUP90N15-18P |
PTH |
N |
375 |
150 |
20 |
4.5 |
90 |
0.018 |
64 |
10 |
235 |
175 |
TO-220AB |