Транзистор IXTA70N085T
IXTA70N085T - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 176 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 85 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 70 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0135 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 59 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 90 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXTA70N085T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTP70N085T |
PTH |
N |
176 |
85 |
20 |
4 |
70 |
0.0135 |
59 |
90 |
- |
175 |
TO-220 |
| STP130N10F3 |
PTH |
N |
250 |
100 |
20 |
4 |
120 |
0.0096 |
57 |
38 |
373 |
175 |
TO-220 |