Транзистор IXTA75N10P
IXTA75N10P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 360 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 74 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 120 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXTA75N10P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTP75N10P |
PTH |
N |
360 |
100 |
20 |
5.5 |
75 |
0.025 |
74 |
120 |
- |
175 |
TO-220 |
| IXTQ75N10P |
PTH |
N |
360 |
100 |
20 |
5.5 |
75 |
0.025 |
74 |
120 |
- |
175 |
TO-3P |