Транзистор IXTA76N25T
IXTA76N25T - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 460 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 76 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.039 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 92 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 148 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTA76N25T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH76N25T |
PTH |
N |
460 |
250 |
30 |
5 |
76 |
0.039 |
92 |
148 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXTI76N25T |
PTH |
N |
460 |
250 |
30 |
5 |
76 |
0.039 |
92 |
25 |
480 |
150 |
TO-262 |
| IXTP76N25T |
PTH |
N |
460 |
250 |
30 |
5 |
76 |
0.039 |
92 |
148 |
- |
150 |
TO-220 |
| IXTQ76N25T |
PTH |
N |
460 |
250 |
30 |
5 |
76 |
0.039 |
92 |
148 |
- |
150 |
TO-3P |