Транзистор IXTA7N60P
IXTA7N60P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 20 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 500 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IXTA7N60P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN10N60T220T |
PTH |
N |
150 |
600 |
30 |
4 |
10 |
1 |
19.38 |
60.4 |
135 |
150 |
TO-220 |
| AFN10N65T220T |
PTH |
N |
156 |
650 |
30 |
4 |
10 |
1 |
20 |
73.67 |
128.8 |
150 |
TO-220 |
| IXTP7N60P |
PTH |
N |
150 |
600 |
30 |
5.5 |
7 |
1.1 |
20 |
500 |
- |
150 |
TO-220 |