Транзистор IXTA8N65X2
IXTA8N65X2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 28 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 495 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTA8N65X2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APT8043BFLLG |
PTH |
N |
403 |
800 |
30 |
5 |
20 |
0.43 |
85 |
5 |
485 |
150 |
TO-247 |
| APT8043SFLLG |
SMD |
N |
403 |
800 |
30 |
5 |
20 |
0.43 |
85 |
5 |
485 |
150 |
D3PAK |
| APT8043SLL |
SMD |
N |
403 |
800 |
30 |
5 |
20 |
0.43 |
85 |
5 |
485 |
150 |
D3PAK |
| IXTP8N65X2 |
PTH |
N |
150 |
650 |
30 |
5 |
8 |
0.5 |
- |
28 |
495 |
150 |
TO-220 |
| IXTY8N65X2 |
SMD |
N |
150 |
650 |
30 |
5 |
8 |
0.5 |
- |
28 |
495 |
150 |
TO-252 |
| STB21N90K5 |
SMD |
N |
250 |
900 |
30 |
5 |
18.5 |
0.299 |
43 |
27 |
112 |
150 |
D2PAK |
| STB25N80K5 |
SMD |
N |
250 |
800 |
30 |
5 |
19.5 |
0.26 |
40 |
13 |
130 |
150 |
D2PAK |
| STP25N80K5 |
PTH |
N |
250 |
800 |
30 |
5 |
19.5 |
0.26 |
40 |
13 |
130 |
150 |
TO-220 |
| STW22N95K5 |
PTH |
N |
250 |
950 |
30 |
5 |
17.5 |
0.33 |
48 |
9 |
140 |
150 |
TO-247 |
| STW23N85K5 |
PTH |
N |
250 |
850 |
30 |
5 |
19 |
0.275 |
38 |
14 |
115 |
150 |
TO-247 |
| STW25N80K5 |
PTH |
N |
250 |
800 |
30 |
5 |
19.5 |
0.26 |
40 |
13 |
130 |
150 |
TO-247 |