Транзистор IXTB30N100L
IXTB30N100L - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: PLUS264
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 800 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.45 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 545 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 1000 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTB30N100L можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFN38N100Q2 |
Модуль |
N |
890 |
1000 |
30 |
5 |
38 |
0.25 |
250 |
300 |
- |
150 |
MINIBLOC |