Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTB62N50L

IXTB62N50L - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: PLUS264

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 800 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 62 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 550 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 500 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTB62N50L можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFB70N60Q2	PTH	N	890	600	30	5.5	70	0.088	265	250	-	150	PLUS264
IXFB80N50Q2	PTH	N	960	500	30	5.5	80	0.06	250	250	-	150	PLUS264
IXFK64N50P	PTH	N	830	500	30	5.5	64	0.085	150	200	-	150	TO-264
IXFX64N50P	PTH	N	830	500	30	5.5	64	0.085	150	200	-	150	PLUS247