Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTC26N50P

IXTC26N50P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: ISOPLUS220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 130 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.26 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 65 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 400 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTC26N50P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFC26N50P	PTH	N	130	500	30	5.5	15	0.26	65	250	-	150	ISOPLUS220
IXFH26N50P	PTH	N	400	500	30	5.5	26	0.23	60	200	-	150	TO-247
IXFV26N50P	PTH	N	400	500	30	5.5	26	0.23	60	200	-	150	PLUS220
IXFV26N50PS	SMD	N	400	500	30	5.5	26	0.23	60	200	-	150	PLUS220SMD
IXTQ26N50P	PTH	N	400	500	30	5.5	26	0.23	65	300	-	150	TO-3P
IXTT26N50P	SMD	N	400	500	30	5.5	26	0.23	65	300	-	150	TO-268
IXTV26N50P	PTH	N	400	500	30	5.5	26	0.23	65	300	-	150	PLUS220
IXTV26N50PS	SMD	N	400	500	30	5.5	26	0.23	65	300	-	150	PLUS220SMD