Транзистор IXTF1N250

IXTF1N250 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: ISOPLUSi4-PAC

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 110 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 2500 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 40 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 41 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 2.5 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IXTF1N250 можно заменить на:

Нет элементов для замены