IXTF1N400 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: ISOPLUSi4-PAC
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 160 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 4000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 60 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 78 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3500 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTF1N400 можно заменить на:
Нет элементов для замены