Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTH110N10L2

IXTH110N10L2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 600 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 110 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.018 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 260 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 230 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IXTH110N10L2 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFB170N30P	PTH	N	1250	300	20	4.5	170	0.018	258	200	-	150	PLUS264
IXFB210N20P	PTH	N	1500	200	20	4.5	210	0.0105	255	200	-	175	PLUS264
IXFH230N10T	PTH	N	650	100	20	4.5	230	0.0047	250	82	-	175	TO-247
IXFK220N15P	PTH	N	1250	150	20	4.5	220	0.009	162	200	-	175	TO-264
IXFN170N30P	Модуль	N	890	300	20	4.5	138	0.018	258	200	-	150	ISOTOP
IXFN210N20P	Модуль	N	1070	200	20	4.5	188	0.0105	255	200	-	175	ISOTOP
IXTH130N15T	PTH	N	750	150	30	4.5	130	0.012	113	100	-	175	TO-247
IXTQ130N15T	PTH	N	750	150	30	4.5	130	0.012	113	100	-	175	TO-3P
IXTT110N10L2	SMD	N	600	100	20	4.5	110	0.018	260	230	-	150	TO-268