Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTH12N100Q

IXTH12N100Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.05 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 95 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 740 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IXTH12N100Q можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH12N100F	PTH	N	300	1000	20	5.5	12	1.05	77	250	-	150	TO-247
IXFH12N100P	PTH	N	463	1000	30	5	12	1.05	80	300	-	150	TO-247
IXFH14N100Q2	PTH	N	500	1000	30	5.5	14	0.95	83	300	-	150	TO-247
IXFH15N100Q3	PTH	N	690	1000	30	6.5	15	1.05	64	250	-	150	TO-247
IXFT15N100Q3	SMD	N	690	1000	30	6.5	15	1.05	64	250	-	150	TO-268
IXFV12N100P	PTH	N	463	1000	-	-	12	1.05	80	300	-	-	PLUS220
IXFV12N100PS	SMD	N	463	1000	-	-	12	1.05	80	300	-	-	PLUS220SMD