Транзистор IXTH150N17T

IXTH150N17T - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-247

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 830 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 175 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 150 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.012 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 155 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 120 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IXTH150N17T можно заменить на:

Нет элементов для замены